maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / EC4H09C-TL-H

| Référence fabricant | EC4H09C-TL-H |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-EC4H09C-TL-H |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| EC4H09C-TL-H Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de transistor | NPN |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 3.5V |
| Fréquence - Transition | 26GHz |
| Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.3dB @ 2GHz |
| Gain | 15dB |
| Puissance - Max | 120mW |
| Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 1V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 40mA |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 4-UFDFN |
| Package d'appareils du fournisseur | 4-ECSP1008 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EC4H09C-TL-H Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | EC4H09C-TL-H-FT |

2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

M2GL005-1VFG400
Microsemi Corporation

5SGXMA3E3H29I3LN
Intel

EP2AGZ300FH29C4N
Intel

5SGXMA7H2F35I2N
Intel

XC7A200T-1FB484I
Xilinx Inc.

LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-95E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

EPF8636ALC84-3
Intel

EP20K300EQC240-2XN
Intel