maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / DZ23C6V8-HE3-08
Référence fabricant | DZ23C6V8-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ23C6V8-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C6V8-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C6V8-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C6V8-HE3-08-FT |
DZ23C30-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P1000-FG484M
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2X
Intel
EP2C20F256I8
Intel
5SGSMD3E3H29I3LN
Intel
LCMXO3L-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation