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Référence fabricant | DZ23C30-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ23C30-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C30-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 22.5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C30-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C30-HE3-18-FT |
AZ23C7V5-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ANTC100-1
Intel
5SGXMA7N2F45C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1153CES
Xilinx Inc.
LFE2-6E-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
EPF81500AQC240-2N
Intel