maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23C8V2-G3-18
Référence fabricant | AZ23C8V2-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23C8V2-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AZ23C8V2-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 6V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C8V2-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23C8V2-G3-18-FT |
AZ23C33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4PQG208I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40I4N
Intel
EP4SGX290NF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
10M16SCU324C8G
Intel
10AX016E3F29E2SG
Intel
10AX027E1F29I1SG
Intel