maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23C36-G3-08
Référence fabricant | AZ23C36-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23C36-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AZ23C36-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 36V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 27V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C36-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23C36-G3-08-FT |
AZ23B6V8-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B7V5-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B7V5-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B7V5-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B7V5-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC3E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-2FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
EP1C3T100A8N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
EP4SGX290KF43I4
Intel
XCKU3P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-3
Intel
EP1K50QC208-1N
Intel