maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23B8V2-G3-08
Référence fabricant | AZ23B8V2-G3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23B8V2-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AZ23B8V2-G3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 6V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B8V2-G3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23B8V2-G3-08-FT |
AZ23B33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1200E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XA2S150E-6FT256Q
Xilinx Inc.
XC2V80-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23C8N
Intel
EP1K30FC256-1
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EP4CGX15BF14C8
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LFXP2-40E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EBC356-1X
Intel