maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / AZ23B8V2-E3-18
Référence fabricant | AZ23B8V2-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-AZ23B8V2-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AZ23B8V2-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Anode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 6V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B8V2-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AZ23B8V2-E3-18-FT |
AZ23B33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50E-6TQG144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP1C3T100C6N
Intel
XC4036XL-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-2FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D6F35C6N
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel