maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / DZ23C33-E3-18
Référence fabricant | DZ23C33-E3-18 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DZ23C33-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C33-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 25V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C33-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C33-E3-18-FT |
AZ23C8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-VQ80C
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5
Intel
EP4CE10F17C9L
Intel
5SGXEA7K2F40C1N
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
5SGSED8N3F45C2L
Intel
5SGXMA7H3F35C4N
Intel
XC7VX690T-1FFG1761C
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation