maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / DZ23C30-HE3-08

| Référence fabricant | DZ23C30-HE3-08 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-DZ23C30-HE3-08 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Automotive, AEC-Q101 |
| DZ23C30-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Tension - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
| Tolérance | ±5% |
| Puissance - Max | 300mW |
| Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 22.5V |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DZ23C30-HE3-08 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | DZ23C30-HE3-08-FT |

AZ23C7V5-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23C7V5-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23C7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23C8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23C8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23C8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23C8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23C9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.

XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.

A3P1000-FG484M
Microsemi Corporation

A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation

AFS250-FG256I
Microsemi Corporation

A54SX16A-PQ208M
Microsemi Corporation

EP20K300EFC672-2X
Intel

EP2C20F256I8
Intel

5SGSMD3E3H29I3LN
Intel

LCMXO3L-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation