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Référence fabricant | DMTH6004SCTB-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMTH6004SCTB-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH6004SCTB-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 95.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4556pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4.7W (Ta), 136W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH6004SCTB-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMTH6004SCTB-13-FT |
DMT10H015LK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4005SK3-13
Diodes Incorporated
DMP3010LK3-13
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DMG4800LK3-13
Diodes Incorporated
DMN4030LK3-13
Diodes Incorporated
DMP3010LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMN10H170SK3-13
Diodes Incorporated
DMP4010SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4007SK3-13
Diodes Incorporated
ZXMN6A09KTC
Diodes Incorporated
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel