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Référence fabricant | DMP3010LK3Q-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP3010LK3Q-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP3010LK3Q-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 59.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6234pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP3010LK3Q-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP3010LK3Q-13-FT |
2N7002-7
Diodes Incorporated
2N7002TA
Diodes Incorporated
2N7002TC
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BS170FTC
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BSS123ATA
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BSS123ATC
Diodes Incorporated
BSS123TC
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XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
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XC6SLX25-L1FG484I
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A54SX16A-1FG256
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MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
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Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
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LFEC6E-3Q208I
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LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel