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Référence fabricant | DMG4800LK3-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMG4800LK3-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMG4800LK3-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 798pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.71W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252-3 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG4800LK3-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMG4800LK3-13-FT |
ZXMP10A13FQTA
Diodes Incorporated
ZXMP6A13FQTA
Diodes Incorporated
2N7002-7
Diodes Incorporated
2N7002TA
Diodes Incorporated
2N7002TC
Diodes Incorporated
BS170FTC
Diodes Incorporated
BS250FTC
Diodes Incorporated
BS870-7
Diodes Incorporated
BSS123-7
Diodes Incorporated
BSS123ATA
Diodes Incorporated
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel