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Diodes Incorporated ZXMN6A09KTC

Name: ZXMN6A09KTC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN6A09KTC
Availability: InStock
Rating: 4.9 (456 reviews)

Numéro de pièce MFG: ZXMN6A09KTC

quantité disponible: 53610 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ZXMN6A09KTC.pdf

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ZXMN6A09KTC Caractéristiques

Référence fabricant	ZXMN6A09KTC
Numéro de pièce future	FT-ZXMN6A09KTC
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
ZXMN6A09KTC Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	7.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1426pF @ 30V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.15W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252-3
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A09KTC Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ZXMN6A09KTC-FT

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