maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS138-7
Référence fabricant | BSS138-7 |
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Numéro de pièce future | FT-BSS138-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSS138-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 50V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 220mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS138-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS138-7-FT |
MMBF170Q-7-F
Diodes Incorporated
ZXMN2069FTA
Diodes Incorporated
DMG2301L-13
Diodes Incorporated
DMG2301LK-13
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DMG2302UK-13
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DMG3418L-13
Diodes Incorporated
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
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