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Référence fabricant | DMTH4008LFDFW-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMTH4008LFDFW-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMTH4008LFDFW-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 990mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH4008LFDFW-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMTH4008LFDFW-13-FT |
NVMTS0D7N04CLTXG
ON Semiconductor
FDMC008N08C
ON Semiconductor
BSP75GQTA
Diodes Incorporated
DMG1012T-13
Diodes Incorporated
DMG3414UQ-13
Diodes Incorporated
DMG4N65CTI
Diodes Incorporated
DMN1004UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN10H220LQ-13
Diodes Incorporated
DMN2026UVT-13
Diodes Incorporated
DMN2040UVT-13
Diodes Incorporated
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
Intel
EP4SGX360NF45C3N
Intel
XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
Intel
EP2AGX65CU17C4G
Intel
5AGXFB1H4F35C4N
Intel