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Référence fabricant | DMG3414UQ-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMG3414UQ-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMG3414UQ-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 829.9pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 780mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG3414UQ-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMG3414UQ-13-FT |
FCP16N60N-F102
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FCMT099N65S3
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NTB110N65S3HF
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STFI18N65M2
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XC3S200A-4FT256I
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XC3S2000-4FG456C
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AGL600V2-CSG281
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Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
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