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Référence fabricant | STFI16N65M2 |
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Numéro de pièce future | FT-STFI16N65M2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
STFI16N65M2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STFI16N65M2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | STFI16N65M2-FT |
DMN2990UFO-7B
Diodes Incorporated
NVATS5A114PLZT4G
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NTMFS4C800NT1G
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DMN3009LFV-7
Diodes Incorporated
A3P060-1TQ144I
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M2GL025T-1FCSG325I
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LFE5UM-45F-8BG381C
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EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
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