maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMG1012T-13
Référence fabricant | DMG1012T-13 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMG1012T-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DMG1012T-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 630mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.737nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 280mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG1012T-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMG1012T-13-FT |
SUP40012EL-GE3
Vishay Siliconix
FCP16N60N-F102
ON Semiconductor
FCMT099N65S3
ON Semiconductor
FCMT125N65S3
ON Semiconductor
FCP11N60N-F102
ON Semiconductor
NTB110N65S3HF
ON Semiconductor
STFI16N65M2
STMicroelectronics
STFI18N65M2
STMicroelectronics
DMN6068LK3Q-13
Diodes Incorporated
SIR800ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel