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Diodes Incorporated DMN1004UFDF-7

Numéro de pièce MFG
DMN1004UFDF-7
quantité disponible
42610 Pièces
Prix de référence
USD 0.176024
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMN1004UFDF-7.pdf
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DMN1004UFDF-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMN1004UFDF-7
Numéro de pièce future FT-DMN1004UFDF-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMN1004UFDF-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2385pF @ 6V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur U-DFN2020-6
Paquet / caisse 6-UDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1004UFDF-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMN1004UFDF-7-FT

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