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Référence fabricant | DMN4468LSS-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN4468LSS-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN4468LSS-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 11.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.95V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.85nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 867pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.52W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN4468LSS-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN4468LSS-13-FT |
DMG8880LK3-13
Diodes Incorporated
DMJ7N70SK3-13
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DMPH3010LK3-13
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ZXMN10A11KTC
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ZXMP10A17KTC
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DMN3016LK3-13
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DMN6017SK3-13
Diodes Incorporated
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
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LCMXO640E-5FTN256C
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EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel