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Référence fabricant | DMPH3010LK3-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMPH3010LK3-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMPH3010LK3-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6807pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.9W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMPH3010LK3-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMPH3010LK3-13-FT |
MMBF170-7
Diodes Incorporated
VN10LFTC
Diodes Incorporated
ZVN3306FTC
Diodes Incorporated
ZVN3310FTC
Diodes Incorporated
ZVN3320FTC
Diodes Incorporated
ZVN4106FTC
Diodes Incorporated
ZVP1320FTC
Diodes Incorporated
ZVP3306FTC
Diodes Incorporated
ZVP3310FTC
Diodes Incorporated
ZXM41N10FTA
Diodes Incorporated
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel