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Référence fabricant | ZXMN10A11KTC |
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Numéro de pièce future | FT-ZXMN10A11KTC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZXMN10A11KTC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 274pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.11W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252-2 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN10A11KTC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZXMN10A11KTC-FT |
ZVN3306FTC
Diodes Incorporated
ZVN3310FTC
Diodes Incorporated
ZVN3320FTC
Diodes Incorporated
ZVN4106FTC
Diodes Incorporated
ZVP1320FTC
Diodes Incorporated
ZVP3306FTC
Diodes Incorporated
ZVP3310FTC
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ZXM41N10FTA
Diodes Incorporated
ZXM41N10FTC
Diodes Incorporated
ZXM61N03FTC
Diodes Incorporated
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
Intel
XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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