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Référence fabricant | DMN6017SK3-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN6017SK3-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN6017SK3-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 43A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2711pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN6017SK3-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN6017SK3-13-FT |
ZVP3306FTC
Diodes Incorporated
ZVP3310FTC
Diodes Incorporated
ZXM41N10FTA
Diodes Incorporated
ZXM41N10FTC
Diodes Incorporated
ZXM61N03FTC
Diodes Incorporated
ZXM61P02FTC
Diodes Incorporated
ZXM61P03FTC
Diodes Incorporated
ZXMN10A07FTC
Diodes Incorporated
ZXMN2A01FTC
Diodes Incorporated
ZXMN3A01FTC
Diodes Incorporated
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation