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Référence fabricant | DMN10H120SFG-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN10H120SFG-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN10H120SFG-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 549pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H120SFG-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN10H120SFG-13-FT |
DMN30H4D0LFDE-13
Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-7
Diodes Incorporated
DMN4020LFDE-13
Diodes Incorporated
DMP2021UFDE-7
Diodes Incorporated
DMP2039UFDE-7
Diodes Incorporated
DMP25H18DLFDE-13
Diodes Incorporated
DMP25H18DLFDE-7
Diodes Incorporated
DMP3026SFDE-13
Diodes Incorporated
DMP3026SFDE-7
Diodes Incorporated
DMP2039UFDE4-7
Diodes Incorporated
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel