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Référence fabricant | DMN30H4D0LFDE-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN30H4D0LFDE-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN30H4D0LFDE-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 550mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 300mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 187.3pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 630mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type E) |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN30H4D0LFDE-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN30H4D0LFDE-13-FT |
DMN3024LSS-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
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XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
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EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel