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ZXMN2A02N8TA Image

Diodes Incorporated ZXMN2A02N8TA

Numéro de pièce MFG
ZXMN2A02N8TA
quantité disponible
48270 Pièces
Prix de référence
USD 0.707264
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ZXMN2A02N8TA.pdf
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ZXMN2A02N8TA Caractéristiques

Référence fabricant ZXMN2A02N8TA
Numéro de pièce future FT-ZXMN2A02N8TA
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ZXMN2A02N8TA Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 8.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 18.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN2A02N8TA Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZXMN2A02N8TA-FT

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