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Référence fabricant | DMPH6050SK3-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMPH6050SK3-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMPH6050SK3-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1377pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMPH6050SK3-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMPH6050SK3-13-FT |
ZXMN10A07FTC
Diodes Incorporated
ZXMN2A01FTC
Diodes Incorporated
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XC6SLX16-N3FTG256C
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Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF10K130EQC240-3N
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