maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMTH6010SK3-13
Référence fabricant | DMTH6010SK3-13 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMTH6010SK3-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMTH6010SK3-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16.3A (Ta), 70A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1940pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252 |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMTH6010SK3-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMTH6010SK3-13-FT |
DMN100-7-F
Diodes Incorporated
DMN2020LSN-7
Diodes Incorporated
DMN1019USN-7
Diodes Incorporated
DMG3407SSN-7
Diodes Incorporated
DMP2012SN-7
Diodes Incorporated
DMN3033LSN-7
Diodes Incorporated
DMN3033LSNQ-7
Diodes Incorporated
DMN3070SSN-7
Diodes Incorporated
DMN3033LSNQ-13
Diodes Incorporated
DMG3401LSN-7
Diodes Incorporated
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel