maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN3033LSNQ-13
Référence fabricant | DMN3033LSNQ-13 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMN3033LSNQ-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN3033LSNQ-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 755pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.4W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-59 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3033LSNQ-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN3033LSNQ-13-FT |
2N7002H-13
Diodes Incorporated
2N7002Q-7-F
Diodes Incorporated
BS870Q-7-F
Diodes Incorporated
BSS138-13-F
Diodes Incorporated
BSS138K-13
Diodes Incorporated
BSS138K-7
Diodes Incorporated
BSS138Q-7-F
Diodes Incorporated
DMG301NU-7
Diodes Incorporated
DMN10H700S-7
Diodes Incorporated
DMN31D5L-13
Diodes Incorporated
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel