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Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-7

Name: DMN30H4D0LFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN30H4D0LFDE-7
Price: 0.173128 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (492 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN30H4D0LFDE-7

quantité disponible: 62250 Pièces

Prix de référence: USD 0.173128

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN30H4D0LFDE-7.pdf

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DMN30H4D0LFDE-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN30H4D0LFDE-7
Numéro de pièce future	FT-DMN30H4D0LFDE-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN30H4D0LFDE-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	300V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	550mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	187.3pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	630mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	U-DFN2020-6 (Type E)
Paquet / caisse	6-UDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN30H4D0LFDE-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN30H4D0LFDE-7-FT

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