maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMP25H18DLFDE-7
Référence fabricant | DMP25H18DLFDE-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP25H18DLFDE-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP25H18DLFDE-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 260mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 3.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±40V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 81pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 600mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | U-DFN2020-6 (Type E) |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP25H18DLFDE-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP25H18DLFDE-7-FT |
ZXMN2A02N8TA
Diodes Incorporated
DMN4025LSD-13
Diodes Incorporated
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DMN3007LSSQ-13
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel