Référence fabricant | DBB04G |
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Numéro de pièce future | FT-DBB04G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBB04G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 400mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 200mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.200", 5.08mm) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBB04G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBB04G-FT |
APTDC20H1201G
Microsemi Corporation
APTDC20H601G
Microsemi Corporation
APTDF100H1201G
Microsemi Corporation
APTDF100H120G
Microsemi Corporation
APTDF100H60G
Microsemi Corporation
APTDF200H20G
Microsemi Corporation
APTDR70X1601G
Microsemi Corporation
B412F-2
Sensata-Crydom
B483B-2
Sensata-Crydom
B483B-2T
Sensata-Crydom
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YU484I5G
Intel
LFE2M50E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation