Référence fabricant | DBB04G |
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Numéro de pièce future | FT-DBB04G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DBB04G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 400mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.05V @ 200mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.200", 5.08mm) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBB04G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DBB04G-FT |
APTDC20H1201G
Microsemi Corporation
APTDC20H601G
Microsemi Corporation
APTDF100H1201G
Microsemi Corporation
APTDF100H120G
Microsemi Corporation
APTDF100H60G
Microsemi Corporation
APTDF200H20G
Microsemi Corporation
APTDR70X1601G
Microsemi Corporation
B412F-2
Sensata-Crydom
B483B-2
Sensata-Crydom
B483B-2T
Sensata-Crydom
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel