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Référence fabricant | APTDF100H1201G |
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Numéro de pièce future | FT-APTDF100H1201G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTDF100H1201G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 120A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3V @ 100A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP1 |
Package d'appareils du fournisseur | SP1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTDF100H1201G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTDF100H1201G-FT |
469-01
Microsemi Corporation
469-02
Microsemi Corporation
469-03
Microsemi Corporation
483-01
Microsemi Corporation
51MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
51MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
51MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
52MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
52MT140KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
52MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel