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Référence fabricant | APTDC20H1201G |
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Numéro de pièce future | FT-APTDC20H1201G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTDC20H1201G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 20A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 1200V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP1 |
Package d'appareils du fournisseur | SP1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTDC20H1201G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTDC20H1201G-FT |
2W10M
GeneSiC Semiconductor
40MT160PA
Vishay Semiconductor Diodes Division
469-01
Microsemi Corporation
469-02
Microsemi Corporation
469-03
Microsemi Corporation
483-01
Microsemi Corporation
51MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
51MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
51MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
52MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
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A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
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LFE2-6E-6F256C
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LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation