Référence fabricant | B412F-2 |
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Numéro de pièce future | FT-B412F-2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
B412F-2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1.2kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 35A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B412F-2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | B412F-2-FT |
51MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
51MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
52MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
52MT140KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
52MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
52MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
53MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
53MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
53MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
60MT100KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K50ETC144-2
Intel
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
A3P125-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFI484-2
Intel
XC7K410T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45E2LG
Intel
EP20K1000EBC652-1X
Intel