Référence fabricant | DB153TB |
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Numéro de pièce future | FT-DB153TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DB153TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DB-M |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB153TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DB153TB-FT |
GBJ2508TB
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LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
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A54SX32A-CQ256
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10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
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5SEE9H40I2N
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10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel