maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ601TB
Référence fabricant | GBJ601TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ601TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ601TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 6A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ601TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ601TB-FT |
GBU804 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
EP2C5T144I8
Intel
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-3T100I
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EPF10K50SFC256-1X
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5AGXBA5D4F27C4N
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XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
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AX500-FGG676I
Microsemi Corporation
EP4SE230F29C2
Intel