maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU807HD2G
Référence fabricant | GBU807HD2G |
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Numéro de pièce future | FT-GBU807HD2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GBU807HD2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU807HD2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU807HD2G-FT |
ABS2 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS4 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS4HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1D RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1DHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1DHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1J RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
LFEC3E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-L2FFVE1517E
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256
Microsemi Corporation
10M16DCF484A7G
Intel
5SGXMB5R3F40I3N
Intel
5SGTMC5K2F40I2N
Intel
5SEE9H40I2N
Intel
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP20K100EBC356-1
Intel