maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBU807HD2G
Référence fabricant | GBU807HD2G |
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Numéro de pièce future | FT-GBU807HD2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GBU807HD2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 8A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-SIP, GBU |
Package d'appareils du fournisseur | GBU |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU807HD2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBU807HD2G-FT |
ABS2 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS2HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS4 REG
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS4HREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1D RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1DHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1DHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1GHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
EABS1J RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel