maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ3502TB
Référence fabricant | GBJ3502TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ3502TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ3502TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 35A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3502TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ3502TB-FT |
GBU802 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU802HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU803HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-CSG81
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LFE5U-12F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9D6F27C7N
Intel
5AGZME7K2F40I3LN
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
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XC7K355T-2FFG901C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PQG100I
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LCMXO2-7000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation