maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBJ602TB
Référence fabricant | GBJ602TB |
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Numéro de pièce future | FT-GBJ602TB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBJ602TB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 6A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-ESIP |
Package d'appareils du fournisseur | GBJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ602TB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBJ602TB-FT |
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1003HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
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XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
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LCMXO2280E-4FTN256I
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LFE3-70E-8FN1156I
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