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Texas Instruments CSD87312Q3E

Numéro de pièce MFG
CSD87312Q3E
quantité disponible
90790 Pièces
Prix de référence
USD 0.34496
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
NexFET™ MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD87312Q3E Caractéristiques

Référence fabricant CSD87312Q3E
Numéro de pièce future FT-CSD87312Q3E
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries NexFET™
CSD87312Q3E Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 7A , 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 15V
Puissance - Max 2.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-VSON (3.3x3.3)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD87312Q3E Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD87312Q3E-FT

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