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Vishay Siliconix SISF00DN-T1-GE3

Name: SISF00DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF00DN-T1-GE3
Price: 0.557992 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (369 reviews)

Numéro de pièce MFG: SISF00DN-T1-GE3

quantité disponible: 79820 Pièces

Prix de référence: USD 0.557992

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® Gen IV MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SISF00DN-T1-GE3.pdf

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SISF00DN-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SISF00DN-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-SISF00DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET® Gen IV
SISF00DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 15V
Puissance - Max	69.4W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® 1212-8SCD
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 1212-8SCD
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISF00DN-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SISF00DN-T1-GE3-FT

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