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Référence fabricant | SI3552DV-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI3552DV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI3552DV-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.15W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3552DV-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI3552DV-T1-GE3-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
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