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Vishay Siliconix SI7960DP-T1-E3

Name: SI7960DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7960DP-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (738 reviews)

Numéro de pièce MFG: SI7960DP-T1-E3

quantité disponible: 11570 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SI7960DP-T1-E3.pdf

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SI7960DP-T1-E3 Caractéristiques

Référence fabricant	SI7960DP-T1-E3
Numéro de pièce future	FT-SI7960DP-T1-E3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET®
SI7960DP-T1-E3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Puissance - Max	1.4W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8 Dual
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI7960DP-T1-E3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SI7960DP-T1-E3-FT

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