maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / ALD1106PBL
Référence fabricant | ALD1106PBL |
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Numéro de pièce future | FT-ALD1106PBL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ALD1106PBL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 4 N-Channel, Matched Pair |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 10.6V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 5V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 14-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD1106PBL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ALD1106PBL-FT |
SI4973DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4973DY-T1-GE3
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SI4974DY-T1-E3
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SI4992EY-T1-E3
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XCV400-4FG676I
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Microsemi Corporation
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LFE3-150EA-9FN1156C
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LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N1F40I2SGES
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