maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / ALD1107PBL
Référence fabricant | ALD1107PBL |
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Numéro de pièce future | FT-ALD1107PBL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ALD1107PBL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 4 P-Channel, Matched Pair |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 10.6V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1800 Ohm @ 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3pF @ 5V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 14-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ALD1107PBL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ALD1107PBL-FT |
SI4973DY-T1-GE3
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SI4974DY-T1-E3
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XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
APA075-FG144I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2
Intel
EP20K200FI484-2V
Intel
EP4SGX230KF40I3N
Intel
XA7A100T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation