maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI7958DP-T1-GE3
Référence fabricant | SI7958DP-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI7958DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7958DP-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7958DP-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7958DP-T1-GE3-FT |
ALD210800ASCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210802SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210804SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210808ASCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210808SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD210814SCL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110802SCL
Advanced Linear Devices Inc.
NDM3000
ON Semiconductor
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
XC2V1000-5FG256C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3
Intel
XC7K355T-2FF901I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132C
Lattice Semiconductor Corporation