maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI3590DV-T1-E3
Référence fabricant | SI3590DV-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI3590DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI3590DV-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.5A, 1.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 830mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3590DV-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI3590DV-T1-E3-FT |
SI7958DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7960DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7960DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7964DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7964DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7980DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7980DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7983DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7983DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7994DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE600-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1K10FC256-2N
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA5K2F35I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FFG900C
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FFG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CPG196C
Xilinx Inc.
5CGXBC9C6F23C7N
Intel