maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SSM6N7002BFU(T5L,F
Référence fabricant | SSM6N7002BFU(T5L,F |
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Numéro de pièce future | FT-SSM6N7002BFU(T5L,F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SSM6N7002BFU(T5L,F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 25V |
Puissance - Max | 300mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | US6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM6N7002BFU(T5L,F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SSM6N7002BFU(T5L,F-FT |
SI3590DV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3590DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3552DV-T1-E3
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SI3900DV-T1-GE3
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SI3948DV-T1-GE3
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SI3951DV-T1-GE3
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SI3529DV-T1-E3
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SI3529DV-T1-GE3
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SI3585DV-T1-E3
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SI3585DV-T1-GE3
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XC6SLX9-L1TQG144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC2S100-6PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX10DF672C6
Intel
EP4CE15F23C6N
Intel
EP3SL340F1517C3N
Intel
5CEBA4U19C7N
Intel
EP20K1000EBC652-1
Intel