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Référence fabricant | SI3529DV-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI3529DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI3529DV-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.5A, 1.95A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 20V |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3529DV-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI3529DV-T1-E3-FT |
SI7980DP-T1-GE3
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